SiGe порошогы, шулай ук билгелекремний германий порошогы, ярымүткәргеч технологиясе өлкәсендә зур игътибар алган материал.Бу мәкалә ни өчен икәнен ачыклау максатын куяSiGeтөрле кушымталарда киң кулланыла һәм аның уникаль үзенчәлекләрен, өстенлекләрен өйрәнә.
Кремний германий порошогыкремний һәм германий атомнарыннан торган композицион материал.Бу ике элементның кушылуы саф кремнийда яки германийда булмаган искиткеч үзенчәлекләргә ия материал тудыра.Куллануның төп сәбәпләренең берсеSiGeкремнийга нигезләнгән технологияләр белән бик яхшы туры килә.
ИнтеграцияләүSiGeкремнийга нигезләнгән җайланмалар берничә өстенлек тәкъдим итә.Төп өстенлекләрнең берсе - кремнийның электр үзлекләрен үзгәртү, шуның белән электрон компонентларның эшләвен яхшырту.Кремний белән чагыштырганда,SiGeэлектрон һәм тишек хәрәкәтчәнлеге югары, электрон транспортны тизрәк һәм җайланма тизлеген арттырырга мөмкинлек бирә.Бу мөлкәт югары ешлыклы кушымталар өчен аеруча файдалы, мәсәлән, чыбыксыз элемтә системалары һәм югары тизлекле интеграль схемалар.
Өстәвенә,SiGeкремнийга караганда түбән тасма аермасы бар, бу аңа яктылыкны эффективрак сеңдерергә һәм чыгарырга мөмкинлек бирә.Бу мөлкәт аны фотодетекторлар һәм яктылык җибәрүче диодлар (LED) кебек оптоэлектрон җайланмалар өчен кыйммәтле материал итә.SiGeшулай ук искиткеч җылылык үткәрүчәнлегенә ия, ул җылылыкны эффектив таратырга мөмкинлек бирә, җылылык белән идарә итүне таләп итә торган җайланмалар өчен идеаль итә.
Тагын бер сәбәпSiGeАның киң кулланылышы - аның кремний җитештерү процесслары белән туры килүе.SiGe порошогыкремний белән җиңел кушылырга мөмкин, аннары кремний субстратына химик пар парламенты (CVD) яки молекуляр нур эпитаксы (MBE) кебек стандарт ярымүткәргеч җитештерү техникасын кулланып урнаштырырга мөмкин.Бу өзлексез интеграция аны чыгымлы итә һәм кремнийга нигезләнгән җитештерү корылмалары булдырган җитештерүчеләр өчен шома күчүне тәэмин итә.
SiGe порошогысузылган кремний ясарга мөмкин.Штамм кремний катламында нечкә катлам урнаштырып ясалаSiGeкремний субстрат өстендә, аннары германий атомнарын сайлап алып.Бу штамм кремнийның полосасы структурасын үзгәртә, аның электр үзлекләрен тагын да көчәйтә.Каты кремний югары җитештерүчән транзисторларның төп компонентына әйләнде, тизрәк күчү тизлеген һәм энергияне түбән куллануны тәэмин итә.
Җитмәсә,SiGe порошогытермоэлектр җайланмалары өлкәсендә киң кулланылышка ия.Термоэлектрик җайланмалар җылылыкны электрга әйләндерәләр һәм киресенчә, аларны электр энергиясе җитештерү һәм суыту системалары кебек кулланмаларда мөһим итә.SiGeюгары җылылык үткәрүчәнлеге һәм көйләнә торган электр үзлекләренә ия, эффектив термоэлектрик җайланмалар үсеше өчен идеаль материал бирә.
Ахырда,SiGe порошогы or кремний германий порошогыярымүткәргеч технологиясе өлкәсендә төрле өстенлекләргә һәм кулланмаларга ия.Аның булган кремний процесслары, искиткеч электр үзлекләре һәм җылылык үткәрүчәнлеге аны популяр материалга әйләндерә.Интеграль схемаларның эшләвен яхшырту, оптоэлектрон җайланмаларны үстерү, яисә эффектив термоэлектрик җайланмалар булдыру,SiGeкүп функцияле материал буларак аның кыйммәтен исбатлауны дәвам итә.Тикшеренүләр һәм технологияләр алга барган саен, без көтәбезSiGe порошокларыярымүткәргеч җайланмаларның киләчәген формалаштыруда тагын да мөһим роль уйнарга.
Пост вакыты: Ноябрь-03-2023